Дифракція електронів, backscattered (EBSD) здійснюється з скануючий Електронний мікроскоп (SEM) надати широкий спектр аналітичні дані, такі як кристалофізична орієнтації досліджень, фаза ідентифікації та зерна вимірювання розміру (crystal). На дифракції моделі можуть бути отримані в менш ніж за секунду, але покращилася якість зображення за допомогою довший час сканування. Зерна зіставлення вимагає розвитку Дифракція візерунки на кожен піксель в області і це повільний процес. Якість Дифракція моделі, яка впливає на настрої індексації Дифракція візерунок, залежить від видалення, пошкодження в решітки завдяки екземпляр підготовки. Було стверджували, що видалення цього пошкодження може бути досягнута тільки за допомогою полірування електролітичних або полірування Іон промінь.

Однак, сучасні механічних підготовки методів, обладнання та витратні матеріали дають відмінну якість Дифракція моделей без використання небезпечних електролітів проблем і обмежень, пов'язаних з electropolishing та полірування Іон промінь. , Якщо результати механічних підготовку в якості поляризоване світло зображення noncubic crystal структура елементи та сплави (наприклад, Sb, бути, Hf, α-Ti, Zn, Zr), або відтінок кольору офорт кубічних або noncubic crystal елементів або сплавів виробляє високоякісні кольорові зображення, то поверхні безкоштовно шкідливі залишковий підготовки пошкодження і EBSD візерунків з показниками якості високий візерунка будуть отримані.